新款GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度,极大提升了图形DRAM的性能,为未来应用注入强劲动力
今年将携手主要GPU客户进行验证,并计划于明年年初投入生产
深圳2024年10月17日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布,已成功开发出其首款24Gb GDDR7[1] DRAM(第七代图形双倍数据传输率存储器)。GDDR7具备非常高的容量和极快的速率,这使得它成为众多下一代应用程序的理想选择之一。
凭借高容量和卓越性能,24Gb GDDR7将广泛应用于需要高性能存储解决方案的各个领域,例如数据中心和人工智能工作站,这将进一步扩展图形 DRAM 在显卡、游戏机和自动驾驶等传统应用领域之外的应用范围。
三星电子存储器产品企划团队执行副总裁裴永哲(Bae YongCheol)表示:"继去年开发出三星首款16Gb GDDR7后,三星凭借此次最新研发成果,进一步巩固了其在图形DRAM市场的技术前沿优势。我们将持续推出新一代产品,以满足人工智能市场不断增长的需求,引领图形DRAM市场发展。"
24Gb GDDR7采用的是第五代10纳米级DRAM制程技术。这使得GDDR7可在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下,将单元密度提高50%。
除了采用先进的工艺节点外,GDDR7还使用了脉冲幅度调制(PAM3)信号技术,使其速度在图形DRAM中达到业界前沿的40Gbps,与前代产品相比提高了25%。根据使用环境的不同,GDDR7的性能可以进一步提升至最高42.5Gbps。
同时,将原先应用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM,GDDR7实现了能效的显著提高。通过采用包括"时钟控制管理[2]"和"双电压(VDD)设计[3]"等方法,可以大幅降低不必要的功耗,进而实现超过30%的能效提升。
为了确保在高速运行时依然具备卓越的稳定性,24Gb GDDR7采用了电源门控设计,尽可能地降低电流泄漏。
今年,三星将携手主要GPU客户,在下一代人工智能计算系统中对24Gb GDDR7进行验证,并计划于明年年初实现该技术的商业化。
[1] GDDR7: 第七代图形双倍数据速率,一种专门为图形处理等高带宽、高性能应用设计的显存。 [2] 时钟控制管理: 指动态调节芯片内部时钟信号的技术。通过降低或禁用芯片中未使用部分的运行速度,可以优化功耗。 [3] 双电压 (VDD) 设计: 一种电源管理技术,指芯片的不同部分采用不同的电压水平工作。这种技术可以在不需要最高电压的区域降低功耗。 |
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